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GTRB204402FC/1是CREE的兩款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉入率硫化鋅管（HEMT），強院于多規格蜂窩狀工作電壓放縮器技巧操作需要設計構思。GTRB204402FC應有有效果率和無軸環的熱激發封裝。

成品尺寸

表(biao)述(shu)：SiC HEMT上的高工率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最高頻段（MHz）：1930

極高(gao)率（MHz）：2020

P3dB打出工(gong)作效(xiao)率(lv)（W）：350

收(shou)獲值（dB）：16.3

有(you)熱效率(lv)（%）：58

額定容量直流電壓(ya)（V）：48

二極管封(feng)裝(zhuang)行業類型：Earless

芯片(pian)打(da)包封裝：芯片(pian)打(da)包封裝分立晶狀體管

技巧：SiC上的GaN

結構特征

經(jing)典的(de)激光脈(mo)沖(chong)CW性能(neng)指標，2020 MHz，48 V，10μs脈(mo)沖(chong)造成的(de)參數(shu)，10%pwm占空比，三人組(zu)合工(gong)作輸出(chu)

P3dB=350W時的(de)導出工作電(dian)壓(ya)

P3dB時的高質(zhi)量率=65%

男模模板1C級（依據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并充分考慮RoHS規范(fan)

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