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氮化鎵28V，45W，DC-3.5 GHz HEMT
NPT1015B GaN HEMT一款造成DC-3.5 GHz的操作提高的移動寬帶氯化鈉晶體管。該電子元件規劃用到CW，電脈沖和規則化的操作，導出熱效率為45W（46.5 dBm），采用了輕工業標準化重金屬瓷器封裝形式，中帶聯接法蘭片。該類產品規劃可信，熱導率低，更加堅固耐造，都可以必須復制粘貼和導出的極度不一致，不易丟失裝備。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT1015B	1周	150

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特征
 適用于線性和飽和應用
 堅固耐用的設計通過15：1 VSWR測試
 高排水效率（> 55％）
 行業標準包裝
 28V操作
 可從DC-3.5 GHz調諧
 在TJ = 200°C時MTTF> 106可(ke)靠(kao)

應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦
增益：14 dB
測試頻率：2.5 GHz
Theta JC：2.1 C / W.

MACOM是全球最大惟一一個于rf射頻工藝技術工藝技術應用領域的GaN on Si工藝技術工藝技術生產商。大家在Si RF輸出輸出結硫化鋅管成品上提高多的間隔波（CW）GaN，用作分立智能電子器件和包塊，設置工作中在DC至6 GHz。大家的高輸出輸出CW和線型結硫化鋅管是民用型空航智能電子生產設備，流量，在線，長脈沖激光聲納各種工業品，生物學和醫療機構工藝技術工藝技術應用領域的良好選定。大家的成品組合起來憑借了MACOM突破60年的過去，縱使用GaN on Si工藝技術工藝技術提高標準和定做解決處理設計，以滿意雇主最挑剔的需要量。大家的GaN on Silicon成品，用分立結硫化鋅管和集成型縮放器，用0.5μmHEMT工藝技術，在輸出輸出，增加收益值，增加收益值寬闊度，學習效率各方面特征出優良的RF功能，