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?PXAE263708NB-V1 S頻譜大電機功率微波射頻LDMOS場定律硫化鋅管

發(fa)布了時間段:2024-11-04 16:57:13     查(cha)詢(xun):668

PXAE263708NB-V1是CREE的四款400瓦(P3dB)LDMOS FET,應用于2620至2690 MHz頻段的多規格蜂窩狀工率擴大器技術適用。含蓋效果效果支持;高增加收益甚至有著無突緣的熱提升打包封裝樣式。PXAE263708NB-V1運用與眾不同的LDMOS流程技術設備;PXAE263708NB-V1兼具優質的熱不穩性和高品質的安全系數功效。

PXAE263708NB-V1.png

的產品標準

講述:高馬(ma)力RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

極低(di)頻率(MHz):2620

上限速(su)度(MHz):2690

P3dB輸出精度電(dian)機功率(W):400

增益值(dB):13.5

的效率(%):47

電機額定功率電流(V):28

封裝(zhuang)類(lei)型(xing)類(lei)型(xing):塑料制品(pin)

二極管(guan)封裝類型:二極管(guan)封裝類型組(zu)織形式分立尖晶石管(guan)

技術:LDMOS

特殊性

寬帶網內部(bu)管理錄入(ru)輸送自適應

非相交性Doherty定制:主(zhu)(zhu)P1dB=140W主(zhu)(zhu)要值(zhi);比較高值(zhi)P1dB=260 W關鍵值(zhi)

經典的電脈(mo)沖CW性能(neng)指標;2655MHz;28v;多(duo)爾蒂(di)構型;AB類(lei):P1dB=200W時(shi)的導出工作電壓;P3dB=400W時(shi)的效果最大功率(lv);效果=49%(POUT=57 W對數正態分布);收獲=15 dB(POUT=57 W標準差)

會加工處(chu)理32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸(shu)送馬力(li)

集成(cheng)系統化ESD愛護

無鉛并實現RoHS準(zhun)則

東莞市(shi)立維(wei)創(chuang)展現(xian)代科技(ji)限制(zhi)工廠授權(quan)使用生產商CREE徽波元(yuan)器,若是可以(yi)購(gou)CREE廠品,請點(dian)擊(ji)事件左測在線客(ke)服鏈接(jie)他(ta)們!!!

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