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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高熱效率RF GaN變小器，選用于多的標準蜂窩狀效率變小器技藝選用。GTRA262802FC應具手機輸入適應、高效益率和無軸環熱增加封裝的性能。

的規格性能

具體分析：SiC HEMT的高(gao)電功(gong)率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最低(di)標(biao)準頻(pin)繁 （MHz）：2490

最高的頻帶寬度（MHz）：2690

P3dB輸入瓦數(shu)（W）：250

增(zeng)益控制值(zhi)（dB）：14

效應（%）：54

額定(ding)負載電阻值（V）：48

芯片(pian)封裝的類型：Earless

封口(kou)：封口(kou)分(fen)立納(na)米線管

新技術運(yun)用：SiC的(de)GaN

特殊性

?GaN-on-SiC HEMT能力(li)技術

?輸進匹配

?先(xian)進典型(xing)的輸入脈沖(chong)CW安全性能，2605 MHz，48 V，組(zu)合公式傷(shang)害，16μs單脈沖(chong)高寬比(bi)，10%pwm占空比(bi)

-P3dB=250W時的轉(zhuan)換工作電壓

-學習效率=62%

-增加(jia)收(shou)益值=14.4 dB

?同(tong)時(shi)在48 V、38 W（CW）傷害電率下運行10:1 VSWR

?名模實體(ti)模型(xing)1A級（要(yao)根(gen)據(ju)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱擴散系數

?無鉛并要(yao)求RoHS標準(zhun)規范(fan)

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