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?GTVA261802FC-V1高耗油率RF GaN變小器CREE

上(shang)線時段(duan):2024-10-29 17:05:16   ;  瀏覽網頁(ye):736

CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D方式縮放器,用作于多規范標準蜂窩狀工作電壓縮放器技術廣泛應用。GTVA261802FC-V1必備讀取匹配、高效能率和無軸環熱增加封裝類型的功能。

GTVA261802FC-V1.png

貨品規格尺寸

具體分(fen)析:SiC HEMT上(shang)的高額定功率RF GaN 170 W,48 V,2620-2690 MHz

最低的(de)次(ci)數(MHz):2620

較大(da)的規律(MHz):2690

P3dB效果輸出(W):170

增(zeng)益控制值(dB):16.8

優質率(%):43

功率電(dian)流(liu)值(V):48

芯片(pian)封裝種類(lei):Earless

打(da)包封裝(zhuang)類型(xing):打(da)包封裝(zhuang)類型(xing)分立(li)氯化鈉晶體管

技術水(shui)平(ping):SiC上的GaN

的特征

?GaN-on-SiC HEMT技術

?導入兼容

?基本特征(zheng)的脈沖信號CW的性能(neng),組(zu)合式模擬輸(shu)出,

2690 MHz,48 V,10μs單脈沖凈寬,10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸出精度(du)耗油率

-P3dB時的漏非常高(gao)有效率(lv)=65.5%

-P3dB=15dB時的增(zeng)加(jia)收益值

?還可(ke)以完整48 V、180 W(CW)輸入(ru)輸出額定功(gong)率下(xia)10:1的VSWR

?女(nv)模(mo)特(te)實(shi)體模(mo)型(xing)1A級(會根(gen)據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

?低傳熱性指數

?無鉛并滿意RoHS標準規(gui)定(ding)

成(cheng)都 市立維創(chuang)展高新(xin)科技現有(you)企業品牌(pai)授權經(jing)銷處CREE微波加熱電(dian)子元件,若是(shi)需求購CREE廠品,請點(dian)開右(you)方在線(xian)客服找話題我(wo)們大(da)家(jia)!!!

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