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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT都是種寬帶網絡多晶體管單片機芯片，真對DC-3.5 GHz辦公來進行了提高。該配件幫助CW，電磁和平滑辦公，轉換馬力為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150是應在國防科技通迅，大陸架中國移動wifi電，航空運輸電子技藝公共設施設備，wifi基礎性公共設施，ISM技藝應用和VHF / UHF / L / S光波聲納。進行SIGANTIC®生產技藝研制 - 的專有的GaN-on-Silicon技藝。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是世界上唯一性一家人于微波射頻范圍廣能力應用的GaN on Si能力機械設備生產商商。.我在Si RF工率多硫化鋅管好廠品上給予范圍廣的連繼波（CW）GaN，做為分立元件和工作方案，來設計辦公在DC至6 GHz。.我的高工率CW和線型多硫化鋅管是民用型飛機維修光電子機械設備，微信網絡通信，微信網絡，長輸入脈沖預警雷達或是工業園，科學實驗和醫藥范圍廣能力應用的比較好選用。.我的好廠品搭檔巧用了MACOM突破60年的過去，既然用GaN on Si能力機械設備給予標準單位和定制開發來解決工作方案，以充分滿足買家最苛責的業務需求。.我的GaN on Silicon好廠品，用于分立多硫化鋅管和整合圖像放大電路，用于0.5毫米HEMT的工藝，在工率，增益值控制，增益值控制溝壑度，使用率多方面表現形式出表現出色的RF性能參數，