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CGH35060P2納米線管CREE

發(fa)布消息(xi)精(jing)力:2024-08-27 09:21:16     搜(sou)素:625

  CREE CGH35060P2是(shi)一(yi)款(kuan)專為高(gao)效率(lv)(lv)設計(ji)的氮(dan)化鎵(jia)(GaN)高(gao)電子遷(qian)移率(lv)(lv)晶(jing)體管(HEMT)。這(zhe)款(kuan)晶(jing)體管具(ju)有(you)高(gao)增(zeng)益(yi)和寬(kuan)帶寬(kuan)能力,特別適合(he)在3.1至(zhi)3.5 GHz的S波段進行脈沖(chong)放大器應用(yong)。它采用(yong)了陶瓷/金(jin)屬法蘭和藥丸(wan)封裝,確(que)保了其在特定(ding)應用(yong)中(zhong)的可(ke)靠性(xing)(xing)和穩定(ding)性(xing)(xing)。

CGH35060P2晶體管CREE

  主要特征:

  實操幀率使用范圍:3.3至3.6 GHz  最高值輸出效率:60W  小信號燈增加收益:12 dB  在8瓦傷害時的測量誤差向量大幅度(EVM):< 2.0%  在8瓦所在時的引流熱效率:25%  采用:WiMAX固定住聯網(802.16-2004 OFDM)和WiMAX走動聯網(802.16e OFDMA)

  技術規格:

  鑄件代碼:CGH35060P2  描敘:60瓦,3100至3500兆赫,28V氮化鎵HEMT  最低速率:3100 MHz  非常大頻繁 :3500 MHz  閥值的輸出熱效率:60W  增益值:12.0 dB  熱效率:60%  工作上交流電壓:28V  封裝行駛行駛:分立結晶體管,蝶閥法蘭、丸  技術:GaN-on-SiC(氫氟酸處理硅基氮化鎵)  CGH35060P2晶狀體管以自身的優質率和符合于低頻的操作的基本特征,在wlan通迅和聲納系統化等高耐熱性的技術應用中表現經驗豐富。其氮化鎵的技術供給了遠遠高于以往硅基晶狀體管的耐熱性,十分是在高無刺激高壓變壓器生活環境下。

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