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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高(gao)性能GaN射頻(pin)功率晶(jing)(jing)體(ti)管，它采用(yong)了SiC HEMT(碳化硅高(gao)電子遷移率晶(jing)(jing)體(ti)管)技術。這(zhe)款晶(jing)(jing)體(ti)管在(zai)48V電源軌上工作，頻(pin)率范圍(wei)從直流(DC)至5GHz，輸出(chu)功率在(zai)P3dB點達到45W，非常適合(he)用(yong)于基(ji)站、雷達和通信系(xi)統等應用(yong)。

　　QPD0030的首要特征還包括：　　- 工作頻率使用范圍：DC至5GHz　　- 輸入熱效率(P3dB)：在2.2GHz概率下，輸入熱效率電動車續航49W。　　- 直線增益控制值：在2.2GHz幾率下，主要表現增益控制值為22.3dB。　　- 典型示范PAE3dB：在2.2GHz幾率下，熱效率達到71.5%。　　- 工作中線電壓：48V。　　- 低熱導率封裝形式：在高工做電壓工做時行之有效散熱，做到配件的維持性和生命周期。　　- 大力支持陸續波(CW)和輸入脈沖運轉模型　　QPD0030應該用途于Doherty架構模式中，特殊非常適合對于大型蜂窩、微蜂窩和有源無線天線操作系統化的基站設備設備熱效率變大器的末尾級，也應該看做微蜂窩基站設備設備熱效率變大器的驅動包器。該配件用于了服務行業原則的4x3mm外表面貼裝QFN裝封，更加方便智能家居控制到目前有的頻射操作系統化的設計中。

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