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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT含有高打出的電馬力溶解度和聯通寬帶寬下的更高有效率。所以GaN HEMT的曲線度一般來說比GaAs電子配件的曲線度差。中心句提供 半個種簡簡單單的辦法來緩和GaN HEMT的曲線度。所提供 的辦法是將電子配件劃分為與人格獨立操作的柵極偏置的電壓串并聯的多種子單元尺寸測試卷，再對仗單元尺寸測試卷打出的開展電馬力女子組合。

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