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　　CREE的CMPA5585025F是一(yi)款基于氮化鎵(jia)(GaN)高電(dian)(dian)子遷移率(lv)晶體(ti)管(HEMT)的單片微波集成電(dian)(dian)路(MMIC)。相(xiang)比硅或砷化鎵(jia)，GaN具(ju)有更(geng)高的性(xing)能(neng)(neng)，包括更(geng)高的擊穿電(dian)(dian)壓(ya)、更(geng)高的飽和(he)電(dian)(dian)子漂移速度和(he)更(geng)高的導(dao)熱性(xing)。與Si和(he)GaAs晶體(ti)管相(xiang)比，GaN HEMT提供(gong)更(geng)高的功(gong)率(lv)密度和(he)更(geng)寬的帶寬。該MMIC采用10引線金屬(shu)/陶瓷法蘭封裝(zhuang)，具(ju)有最佳(jia)的電(dian)(dian)氣和(he)熱性(xing)能(neng)(neng)。

　　特性：

Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G）：

杭州市立維創展社會是CREE的代理商商，成為CREE微波射頻配件優勢供貨期渠道管理，并長期的庫存積壓現貨交易，僅作華人市揚需要量。