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UMS微波加熱CHK5010-99F是一款革(ge)命(ming)性(xing)的(de)4W氮化鎵(jia)高電子遷移率(lv)晶體管(GaNHEMT)，可(ke)為(wei)各種射頻(pin)功率(lv)應用提供多功能寬(kuan)帶解(jie)決方案。該產(chan)品在SiC襯底上(shang)采用GaNHEMT技(ji)術制造，確保(bao)了優異的(de)性(xing)能和可(ke)靠性(xing)。

單晶體管以裸晶片結構類型展示 ，必須外表輸入用電線路就要徹底切實發揮其發展優勢。顯然，這是這樣設置性能增添了CHK5010-99F豐富多彩的的功能和比較廣泛的適用發展優勢。關鍵特質以及其優異的網絡帶寬業務能力，鼓勵達到了12 GHz的激光脈沖和聯續波運行。源于GaN枝術，該開發可確保高內容輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時確保較好性能指標。不僅，該基帶芯片擁有0.90x0.80x0.1mm的緊湊型面積，哪怕在受阻的區域空間中也不錯放松一體化。拿來其專業技能的能力，CHK5010-99F還不符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006準則，保持壞境和平安。這讓用戶賬戶在選定 和動用的產品時專心，而沒必要擔憂對壞境的有后果后果。換句話說，CHK5010-99F就是一款最該依賴的高性GaN納米線管，含有大范圍的操作和不錯的功能鍵。其讓人覺得好的印象深入的性和完全符合相關行業準則使其稱得上頻射公率操作的可信挑選，為該域建造了新的可能會性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

廣州市立維創展科技有限的總部有限的總部授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。