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CREE的CMPA2735030是種選擇氮化鎵 (GaN) HEMT 的單支微波加熱集合三極管 (MMIC)。與硅或砷化鎵相對來說較，GaN享有愈來愈優等的特性；包擴高的損壞場強；高的飽和光電漂移轉化率和高的傳熱性公式。與Si和GaAs單晶體管不同之處較，GaN HEMT還出示了更高的的電率容重和更寬的帶寬的配置。CMPA2735030有有級電抗更換效率縮放器規劃一個構想，才能保證 極端寬的上行寬帶。

結構特征

額定的電(dian)流電(dian)壓獨角獸高達 50 V

高電壓擊穿場強

橫向為 5mm x 5mm；QFN 封(feng)裝

常溫度用到

廣泛行業應用行業

民(min)用型型和軍品(pin)用電脈沖雷達(da)探測電機功率擴大器(qi)

軟件規格

文章的話(hua)：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 工作功率變成器(qi)

更低頻點(MHz)：2700

高頻繁(fan)(MHz)：3500

是(shi)最高的值(zhi)打印輸(shu)出工(gong)作效率(W)：30

增加(jia)收益值(dB：)30.0

運(yun)作速率（％）：45

額定值工(gong)作電(dian)壓(ya)(V)：50

形勢：離散(san)裸存儲芯片

芯(xin)片(pian)封裝類(lei)：Die

技術水平：GaN-on-SiC

蘇州市立維(wei)創(chuang)展科技開(kai)發(fa)局限總(zong)部許可生產商CREE微波(bo)射頻配件，假如必須 購CREE護膚品(pin)，請鼠標點擊右邊客戶(hu)服務熱線建(jian)立聯系我！！！