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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

終究，你的努力的結果誘發無源GaN混頻器設計在輸進三階交調截點（IIP3）與本機振蕩器器（LO）win7軟啟動的百分率方便高達很多砷化鎵（GaAs）無源混頻器設計 - a的質量質數設計MMIC已經開創曲線使用率。從S波長到K波長（2 GHz到19 GHz），這么多新無源GaN混頻器展示會的IIP3數字8遠遠遠超出30 dBm，LOwin7動力電平約為20 dBm，曲線使用率遠遠超出10 dB。

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