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發布信息時刻:2018-07-17 15:20:07 查看:2052
AlGaAs降(jiang)解性
MACOM的(de)(de)(de)(de)(de)MA4AGSW1A都是種鋁鎵砷單極單擲(SPST)融合式PIN肖(xiao)特基二(er)極管打開。該(gai)觸點(dian)開關應用增進型(xing)AlGaAs陽極,應用MACOM認證的(de)(de)(de)(de)(de)異質結技(ji)術應用形成了。與(yu)在使用民俗GaAs工藝(yi)設備制(zhi)作的(de)(de)(de)(de)(de)配件比起來,AlGaAs技(ji)術工藝(yi)呈現的(de)(de)(de)(de)(de)旋鈕損耗(hao)費更小。在50GHz時,能夠 推動0.3dB的(de)(de)(de)(de)(de)導入耗(hao)用降(jiang)低了。該(gai)集成電路(lu)芯片(pian)主(zhu)(zhu)要包括(kuo)(kuo)OMCVD外延性(xing)(xing)晶圓加工制(zhi)造(zao),主(zhu)(zhu)要包括(kuo)(kuo)專為高集成電路(lu)芯片(pian)不規(gui)則性(xing)(xing)和(he)(he)超(chao)低生存調節(jie)作用而構思的(de)(de)(de)(de)(de)方法。電子器(qi)件內(nei)的(de)(de)(de)(de)(de)PIN場效(xiao)應管擁有低并聯內(nei)阻計算(suan)內(nei)阻,低電解電容和(he)(he)迅速的(de)(de)(de)(de)(de)啟閉線(xian)速度(du)。它們(men)的(de)(de)(de)(de)(de)已(yi)經被氮化硅(gui)鈍(dun)化,并兼備三倍(bei)的(de)(de)(de)(de)(de)締合物層(ceng)用以(yi)刮痕保護(hu)好(hao)。護(hu)理(li)表層(ceng)可解決(jue)在治理(li) 和(he)(he)制(zhi)做肖(xiao)特基二(er)極管結各種陽極室內(nei)空氣橋時的(de)(de)(de)(de)(de)傷害(hai)。將要求片(pian)外偏置線(xian)路(lu)。
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MACOM
MA4AGSW1A
鋁鎵砷單極單擲(SPST)吸收式PIN二極管開關
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