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發布公告期限:2021-08-30 16:59:55 搜素:2215
GaAsFET(砷(shen)化鎵場效(xiao)應(ying)晶體管(guan))是高(gao)頻、超高(gao)頻、微波無線電(dian)頻下功(gong)放電(dian)路(lu)的(de)場效(xiao)應(ying)晶體管(guan)。GaAsFET憑借其靈敏性而(er)舉世聞名,其形成(cheng)的(de)內部噪聲(sheng)極少。這主要是由(you)于(yu)砷(shen)化鎵擁有與眾不同(tong)的(de)載(zai)流子(zi)遷移率。電(dian)子(zi)特(te)別容易(yi)通(tong)過半(ban)導(dao)體材料。GaAsFET是一款耗盡(jin)型(xing)機械設備,這就代(dai)表(biao)著當在(zai)操縱(zong)電(dian)極門沒有電(dian)壓時(shi)它便(bian)會導(dao)電(dian),當在(zai)門側產生電(dian)壓時(shi)信(xin)道傳導(dao)率便(bian)會降低。在(zai)弱數據信(xin)號無線通(tong)信(xin)和廣播接收(shou)中,GaAsFET優于(yu)其他(ta)類(lei)型(xing)的(de)場效(xiao)晶體管(guan)。
LINEAR供(gong)給了詳細(xi)有效性的進行充電(dian)泵DC-DC穩壓(ya)電(dian)源護膚品,比較適于來當(dang)作(zuo)GaAsFET偏(pian)置再次等離子發(fa)生器(qi)。
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廠品型號 | Vin (min) | Vin (max) | Output Current (typ) | Output Voltage | Isupply (typ) | Frequency (typ) |
V | V | A | A | Hz | ||
LTC1261L | 2.7 | 5.25 | 20m | -4.5V, -4V, Adj | 650μ | 650k |
LTC1550L | 2.7 | 5.25 | 20m | -2.5V, -2V, -4.1V, -4V, Adj | 4.2m | 900k |
LTC1551L | 2.7 | 5.25 | 20m | -4.1V | 3.5m | 900k |
LTC1550 | 2.7 | 5.25 | 20m | -1.5V, -2.5V, -2V, -4.1V, -4.5V, Adj | 4.2m | 900k |
LTC1551 | 2.7 | 5.25 | 20m | -4.1V | 4.2m | 900k |
LTC1261 | 3 | 8 | 12m | -3V, -4.5V, -4V, -5V, Adj | 600μ | 550k |
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