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LINEAR GaAsFET 偏置再次高壓發生器

發布公告期限:2021-08-30 16:59:55     搜素:2215

GaAsFET(砷(shen)化鎵場效(xiao)應(ying)晶體管(guan))是高(gao)頻、超高(gao)頻、微波無線電(dian)頻下功(gong)放電(dian)路(lu)的(de)場效(xiao)應(ying)晶體管(guan)。GaAsFET憑借其靈敏性而(er)舉世聞名,其形成(cheng)的(de)內部噪聲(sheng)極少。這主要是由(you)于(yu)砷(shen)化鎵擁有與眾不同(tong)的(de)載(zai)流子(zi)遷移率。電(dian)子(zi)特(te)別容易(yi)通(tong)過半(ban)導(dao)體材料。GaAsFET是一款耗盡(jin)型(xing)機械設備,這就代(dai)表(biao)著當在(zai)操縱(zong)電(dian)極門沒有電(dian)壓時(shi)它便(bian)會導(dao)電(dian),當在(zai)門側產生電(dian)壓時(shi)信(xin)道傳導(dao)率便(bian)會降低。在(zai)弱數據信(xin)號無線通(tong)信(xin)和廣播接收(shou)中,GaAsFET優于(yu)其他(ta)類(lei)型(xing)的(de)場效(xiao)晶體管(guan)。

LINEAR供(gong)給了詳細(xi)有效性的進行充電(dian)泵DC-DC穩壓(ya)電(dian)源護膚品,比較適于來當(dang)作(zuo)GaAsFET偏(pian)置再次等離子發(fa)生器(qi)。

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 LINEAR GaAsFET 偏置發生器

廠品型號

Vin (min)

Vin (max)

Output Current (typ)

Output Voltage

Isupply (typ)

Frequency (typ)


V

V

A


A

Hz

LTC1261L

2.7

5.25

20m

-4.5V, -4V, Adj

650μ

650k

LTC1550L

2.7

5.25

20m

-2.5V, -2V, -4.1V, -4V, Adj

4.2m

900k

LTC1551L

2.7

5.25

20m

-4.1V

3.5m

900k

LTC1550

2.7

5.25

20m

-1.5V, -2.5V, -2V, -4.1V, -4.5V, Adj

4.2m

900k

LTC1551

2.7

5.25

20m

-4.1V

4.2m

900k

LTC1261

3

8

12m

-3V, -4.5V, -4V, -5V, Adj

600μ

550k


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