一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区

HMC219B是一種款超小萬能雙動平衡混頻器，適用8引腳超小PVC表貼二極管封裝，帶露出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單處理器微波加熱集合三極管設計(MMIC)混頻器適用砷化鎵(GaAs)塑料半導體技術場相應硫化鋅管(MESFET)新工藝制做，不用再間接組件或符合三極管設計。該電子器件可以選擇作頻點比率為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器、下變頻器、雙相幅度調制器或相位對比器。 立維創展HMC219B適用要經過seo的巴倫組成，展示 突出的本振(LO)至rf射頻(RF)隔絕及LO至中頻(IF)隔絕耐腐蝕性。非常具有RoHS標淮的HMC219B不用辦理線焊，與高存儲容量表貼造成技術應用兼容。MMIC耐腐蝕性不穩可增長軟件運作成功率并抓好非常具有HiperLAN、U-NII和ISM法律法規條件。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE應運(yun)

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖