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HMC457QS16G(E)是一個款高gif動態區間GaAs InGaP異質結雙化學性質納米線管(HBT)、1瓦特MMIC本職工作電公率變大器，在1.7至2.2 GHz的幀率下本職工作。 該變大器運用徵型16引腳QSOP朔膠封裝，其收獲在1.7至2.0 GHz幀率下一般 為27 dB，在2.0至2.2 GHz幀率下一般 為25 dB。 它僅運用單純形占比的外鏈元器件封裝，其傷害IP3能否優化作+45 dBm。 能否合理利用本職工作電公率管理(Vpd)確保根本掉電或RF傷害本職工作電公率/瞬時電流管理。 高傷害IP3和PAE致使HMC457QS16G(E)形成比較適合蜂窩/3G通信基站和中繼器app的好本職工作電公率變大器。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC457QS16GE HMC457QS16GETR	1瓦特功率放大器，采用SMT封裝，1.7 - 2.2 GHz	現貨	257

HMC457QS16G應用(yong)

• CDMA和W-CDMA
• GSM、GPRS和Edge

• 基站和中繼器

HMC457QS16G優勢和特點

• 輸出IP3： +46 dBm
• 增益： 27 dB （1900 MHz時）
  PAE為48%（Pout為+32 dBm時）
• +25 dBm的W-CDMA通道功率（ACPR為-50 dBc時）
• 集成功率控制(Vpd)
• QSOP16G SMT封裝： 29.4 mm2
• 包含在HMC-DK002設計人員套件中

HMC457QS16G結構圖