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AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總間距為2.5公分（兩人1.25分米FET串連）。它有的是個裸模，可使用高達hg15千兆赫。它可能作為40.5 dBm的主要表現達到飽和狀態效率。此部件非常符合RoHS。

特證

將高達15GHz的高頻控制

在2GHz時增加收益=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

技術應用

蜂窩wifi信號塔

遠程無線局域網、中繼器

C波長VSAT

雷達天線

考試儀器設備

中國軍事