漢語
徽波元電子器件
AM012WN-BI-R都是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬為1.25公厘。它是在同一個工業陶瓷雙包方法可高達10千兆赫。BI一系列進行特種設計方案的陶瓷制品封裝形式，進行內嵌式進行安裝具體方法，有帶彎折變形（BI-G）或直（BI）絞線。封裝底層的法蘭盤同一應用于電流地線保護、rf射頻地線保護和熱管道。此方面達到RoHS。
結構特征
萬代高達10GHz的高頻率進行操作
增益值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
漆層貼裝
更好散熱性能的下層社會
app
高最新閱讀器
蜂窩無線數字基站設備
寬帶網絡和窄帶拖動器
汽車雷達
測式檢測設備
軍事化
干預器