常常
紅外光元器材
AM025WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總間距為2.5mm。它有的是個陶瓷廠家封裝，運行工作頻率達8千兆赫。BI編采取個性化設計的陶瓷制品封裝，采取放入式按裝方試，中有打彎（BI-G）或直（BI）輸電線。封裝上端的活套法蘭此外看做直流電壓跨接、頻射跨接和熱路通道。此環節具備RoHS。
有特點
敢達8GHz的中頻進行
增益控制=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
外層貼裝
有效率，散熱處理的最底層
APP
高情況吸收器
蜂窩遠程基站設備
網絡帶寬和窄帶調小器
聲納
測式器材
中國軍事
擾亂器