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AMCOM的(de)(de)AM153040WM-QN6-R是(shi)砷化鎵HiFET MMIC功(gong)率放(fang)大器系(xi)列的(de)(de)一(yi)部分(fen)。它是(shi)一(yi)個2級GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功(gong)率放(fang)大器。它完全匹(pi)配50歐(ou)姆的(de)(de)輸入(ru)和輸出，涵(han)蓋(gai)1.25至(zhi)3.5GHz。該單(dan)(dan)片(pian)集(ji)成(cheng)電(dian)路在10V時增益(yi)19dB，輸出功(gong)率37dBm。該單(dan)(dan)片(pian)集(ji)成(cheng)電(dian)路采(cai)用(yong)(yong)6x6mm QFN封(feng)裝，射(she)頻引(yin)線、直(zhi)流引(yin)線和射(she)頻接(jie)地位于封(feng)裝的(de)(de)較(jiao)低(di)層，便于將低(di)成(cheng)本的(de)(de)SMT組(zu)裝到PC板上。當(dang)直(zhi)接(jie)安(an)裝到PCB上時，請參閱應(ying)用(yong)(yong)說明AN700了解說明。為(wei)了確保(bao)良好(hao)的(de)(de)射(she)頻接(jie)地和適當(dang)的(de)(de)散熱，這(zhe)些設備必須直(zhi)接(jie)放(fang)置在PCB過孔(kong)上。此MMIC符(fu)合RoHS標準。