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X3C21P2-03S不是個低姿勢，高功效的3dB結合耦合電路器在另一個新的易用，制造出親善的表面能重新安裝芯片封裝。它是為LTE和WIMAX頻段利用而結構設計構思的。該X3C21P1-03S是專為穩定性公率和低躁音圖像電壓放大器，加進去4g信號分攤和相關要求低嵌入耗損和牢固的波幅和相位穩定性的利用而結構設計構思的。它就可以使用獨角獸高達110瓦的高公率利用。配件上的就已經 過要從嚴的鑒定費測試儀，它是采用熱增加因子（CTE）的資料造成的，等等資料與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等常考板材兼容。生產6個合適RoHS標準規范的浸錫飾面層。

X3C21P2-03S優缺點：?1800-2300兆赫?LTE、WIMAX?高馬力?至關低的耗損率?牢固振動幅度穩定?高隔絕度?分娩和睦型?磁帶和秘藥?無鉛