一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区

CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管
最重要數據

CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管

頻射帶寬使用(GHz): 1.2-1.4小移動信號增益值(dB):16額定功率(W):15相應的增益控制(dB): > 14P-1dB模擬輸出(dBm):-PAE(%): > 55進貨貨期:3-4周

品牌:UMS微波

成品祥情講解

CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為L光波的各種各樣的RF額定功率適用提高了網絡帶寬消除情況報告。該控制電路是非常適用電脈沖雷達探測應該用。

CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT技術上指出的。它特征提取準MMIC技藝。

它以非常符合RoHS的SMD封裝提供了。