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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

注重叁數

CHZ180AaSEB 內(nei)部(bu)匹配(pei)的GAN功率(lv)晶(jing)體管

微波射頻上行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小4g信號增加收益（dB）：20輸出（W）：200涉及增益值（dB）： > 14P-1dB輸出的（dBm）：-PAE（％）： 52定貨貨期：3-4周

產品詳情了解了解

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

異常適宜智能(neng)統計使用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的(de)GaN HEMT加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝(yi)上提起的(de)。它因(yin)為準MMIC技藝(yi)。

它(ta)選用填料密(mi)封蝶(die)閥法蘭淘瓷合(he)金材料24v電(dian)源打(da)包封裝(zhuang)，可具備低寄身和低熱擴散系數(shu)。