CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該成品為雷達探測和5G等所有RF電壓操作給予實用和光纖寬帶完成策劃方案。
該電源線路是在SiC襯底上用0.25μm柵長的GaN HEMT新技術產生的。
它以裸處理芯片形態要求,因此需求表面搭配用電線路。
紅外光元電氣元件
CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@率(GHz): 18 @ 6工作的幾率(GHz): 最少4個是處于飽和狀態輸出功率(W): 88PAE(%)@頻點(GHz): 65 @ 6進貨交貨:3-4周CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該成品為雷達探測和5G等所有RF電壓操作給予實用和光纖寬帶完成策劃方案。
該電源線路是在SiC襯底上用0.25μm柵長的GaN HEMT新技術產生的。
它以裸處理芯片形態要求,因此需求表面搭配用電線路。