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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

至關重要指標

CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@概率（GHz）： 14 @ 6運作規律（GHz）：最常6個飽和點功效（W）： 20PAE（％）@速度（GHz）： 60 @ 6進貨交貨期：3-4周

物品詳情講述講述

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該軟件為雷達天線和聯通網絡等種種RF外接電源應用領域打造適用和寬帶網避免工作方案。

它是對于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技能發展的，而且獨特按照RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指命的要求。

它以裸基帶芯片主要形式確立，與此同時需外部結構符合電路系統。