所述CHA5266-FAB是在無引線表皮上的一級單支砷化鎵中工率放縮器裝配密封蓋黑色金屬陶瓷圖片6x6mm2包。
它設計的概念使用在從軍事到商業圈通信技術設備的比較廣泛利用。
該電源電路用pHEMT工藝設備造成,柵極總長為0.25μm,經過基材的通孔,氣氛橋和智能電子束柵極夜刻技術應用造成。
它以遵循RoHS的SMD封裝類型提供數據。
紅外光元元器
CHA5266-FAB 放大器– MPA
rf射頻帶寬起步(GHZ):10-16增加收益(dB):24IP3(dBm):35.5P-1dB傳輸(dBm):26輸出工作效率(dBm):27.5定貨交貨:3-4周所述CHA5266-FAB是在無引線表皮上的一級單支砷化鎵中工率放縮器裝配密封蓋黑色金屬陶瓷圖片6x6mm2包。
它設計的概念使用在從軍事到商業圈通信技術設備的比較廣泛利用。
該電源電路用pHEMT工藝設備造成,柵極總長為0.25μm,經過基材的通孔,氣氛橋和智能電子束柵極夜刻技術應用造成。
它以遵循RoHS的SMD封裝類型提供數據。