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AM010WX-BI-R是一個種分立砷化鎵pHEMT，其柵極總凈寬為1.0mm毫米。它是在一款淘瓷雙包作業高達mg12千兆赫。BI系例選用層次性制作的淘瓷封裝，選用放到式裝設的方法，有點彎曲成（BI-G）或直（BI）電線。打包封裝尾部的法蘭盤也作為直流變壓器地線線、rf射頻地線線和熱工作區。此組成部分復合RoHS。

的特征

超過12GHz的低(di)頻(pin)進行

增益控制=16 dB，P1dB=28.5dBm，Eff=53%@4GHz

單單從表面(mian)貼(tie)裝

有效地，散熱處(chu)理的框架

應(ying)運

無線(xian)wifi網(wang)上環路

驅動(dong)器增加(jia)器

蜂窩(wo)wlan電

中(zhong)繼器

C光波VSAT

聲(sheng)納