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微波加熱元電子原件封裝
AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場不確定性單晶體管BI系例的一的部分分。HiFET也是種組成個部分一致的專屬裝置配制，廣泛用于低壓、大瓦數和光纖寬帶應用。這一組成個部分的總電子元器件周圍為2mm（兩只1毫米左右的FET結合）。AM010WH2-BI-R專為中功效紅外光利用而設定，工作任務次數可達到12GHz。它也是很大效率的設備的很好能夠過程。BI產品系列按照特種設計的瓷磚裝封，按照添加式按照方試，暗含可以彎曲的（BI-G）或直（BI）絞線。二極管封裝底層的法蘭片并且重復使用直流電跨接線、rf射頻跨接線和熱短信通道。此大部分適用RoHS。
有特點
高至12GHz的高頻操作流程
高收獲和高耗油率，P1dB=30dbm@3.5GHz
外表貼裝
更有效蒸發器的表層
利用
無線數字地方環鐵路網絡
蜂窩wifi電通信設備
WLAN、中繼器和超局域
Ck線VSAT
聲納